英飞凌计划投资逾20亿欧元扩产第三代半导体，新厂首批晶...

西棠

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　　2月24日英飞凌官微消息显示，英飞凌宣布将扩大宽禁带(碳化硅和氮化镓)半导体的产能，进一步巩固和增强其在功率半导体市场的领导地位。

　　英飞凌将斥资逾20亿欧元，在马来西亚居林工厂建造第三个厂区。建成之后，新厂区将用于生产碳化硅和氮化镓功率半导体产品，每年可为英飞凌创造20亿欧元的收入。

　　居林新厂区满负荷运转之后，将创造900个岗位。新厂区将于今年6月开始施工，在2024年夏季进行设备安装。首批晶圆将于2024年下半年开始出货。对居林工厂的新增投资主要用于外延工艺和晶圆切割等具有高附加值的环节。

　　据透露，目前，英飞凌已向3,000多家客户提供基于碳化硅的半导体产品。英飞凌计划到本世纪20年代中期，将碳化硅功率半导体的销售额提升至10亿美元。同时，氮化镓市场预计也将迎来激增，从2020年的4,700万美元增至2025年的8.01亿美元。